Особенности

Важные характеристики

• Печь с нагревательными элементами сопротивления, дизайн колпаковой печи
• Выращивание 4” GaAs монокристаллов
• Полезный объем: диаметр 110 мм, высота 640 мм
• 8 зон нагрева, подлежат индивидуальному контролю
• Максимальная рабочая температура 1500°C
• Мощность нагрева 12 кВт
• Технологический газ: аргон, возможно создание форвакуума
• Автоклав с максимальным рабочим давлением в 10 бар
• Терморегуляторы контроля в среде зародыша кристалла
• Труба из Al2O3 - для однородности температуры, ампула из кварцевого стекла - для защиты нагревателя
• Полностью автоматизированный сенсорный экран с ПЛК
• Точность температуры +/- 0.2 K
• Охлаждающая плита в автоклаве, чтобы регулировать вертикальный тепловой ток
• Подготовлена для последующего обновления аппаратного или программного обеспечения для кристалла в 6”

Возможные стандартные опции

• Аварийное охлаждение водой
• Программное обеспечение
• Дизайн загрузки снизу
• Циркуляционный охладитель
• Моделирование процессов VGF для выращивания 2”, 4” и 6”
• Обучение выращиванию кристаллов известным немецким научно-исследовательским институтом
• 2” нагревательный элемент
• 6” нагревательный элемент

Применение

выращивание кристаллов

Технические характеристики

Видео

Комплектация